中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)需求前景與未來(lái)趨勢(shì)預(yù)測(cè)分析報(bào)告2022版

中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)需求前景與未來(lái)趨勢(shì)預(yù)測(cè)分析報(bào)告2022-2028年版

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章　第三代半導(dǎo)體相關(guān)概述
1.1 第三代半導(dǎo)體基本介紹
1.1.1　基礎(chǔ)概念界定
1.1.2　主要材料簡(jiǎn)介
1.1.3　歷代材料性能
1.1.4　產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
1.2 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程分析
1.2.1　材料發(fā)展歷程
1.2.2　產(chǎn)業(yè)演進(jìn)全景
1.2.3　產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移路徑
1.3 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成及特點(diǎn)
1.3.1　產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介
1.3.2　產(chǎn)業(yè)鏈圖譜分析
1.3.3　產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系
1.3.4　產(chǎn)業(yè)鏈體系分工
第二章 2020-2022年全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
2.1 2020-2022年全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)運(yùn)行狀況
2.1.1　標(biāo)準(zhǔn)制定情況
2.1.2　國(guó)際產(chǎn)業(yè)格局
2.1.3　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
2.1.4　SiC創(chuàng)新進(jìn)展
2.1.5　GaN創(chuàng)新進(jìn)展
2.1.6　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
2.1.7　企業(yè)發(fā)展布局
2.1.8　企業(yè)合作動(dòng)態(tài)
2.2 美國(guó)
2.2.1　經(jīng)費(fèi)投入規(guī)模
2.2.2　產(chǎn)業(yè)技術(shù)優(yōu)勢(shì)
2.2.3　技術(shù)創(chuàng)新中心
2.2.4　項(xiàng)目研發(fā)情況
2.2.5　項(xiàng)目建設(shè)動(dòng)態(tài)
2.2.6　戰(zhàn)略層面部署
2.3 日本
2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃
2.3.2　封裝技術(shù)聯(lián)盟
2.3.3　產(chǎn)業(yè)重視原因
2.3.4　技術(shù)狀況
2.3.5　企業(yè)發(fā)展布局
2.3.6　國(guó)際合作動(dòng)態(tài)
2.4 歐盟
2.4.1　項(xiàng)目研發(fā)情況
2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)
2.4.3　前沿企業(yè)格局
2.4.4　未來(lái)發(fā)展熱點(diǎn)
第三章 2020-2022年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境PEST分析
3.1 政策環(huán)境（Political）
3.1.1　中央部委政策支持
3.1.2　地方政府扶持政策
3.1.3　行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)行情況
3.1.4　中美貿(mào)易摩擦影響
3.2 經(jīng)濟(jì)環(huán)境（Economic）
3.2.1　宏觀經(jīng)濟(jì)概況
3.2.2　工業(yè)經(jīng)濟(jì)運(yùn)行
3.2.3　投資結(jié)構(gòu)優(yōu)化
3.2.4 宏觀經(jīng)濟(jì)展望
3.3 社會(huì)環(huán)境（Social）
3.3.1　社會(huì)教育水平
3.3.2　知識(shí)專利水平
3.3.3　研發(fā)經(jīng)費(fèi)投入
3.3.4　技術(shù)人才儲(chǔ)備
3.4 技術(shù)環(huán)境（Technological）
3.4.1　專利申請(qǐng)狀況
3.4.2　科技計(jì)劃專項(xiàng)
3.4.3　制造技術(shù)成熟
3.4.4　產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟
第四章 2020-2022年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
4.1 中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點(diǎn)
4.1.1　數(shù)字基建打開成長(zhǎng)空間
4.1.2　背光市場(chǎng)空間逐步擴(kuò)大
4.1.3　襯底和外延是關(guān)鍵環(huán)節(jié)
4.1.4　各國(guó)政府高度重視發(fā)展
4.1.5　產(chǎn)業(yè)鏈向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移明顯
4.2 2020-2022年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展運(yùn)行綜述
4.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.2.2　產(chǎn)能項(xiàng)目規(guī)模
4.2.3　產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
4.2.4　國(guó)產(chǎn)替代狀況
4.2.5　行業(yè)發(fā)展空間
4.3 2020-2022年中國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)運(yùn)行狀況分析
4.3.1　市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
4.3.2　細(xì)分市場(chǎng)規(guī)模
4.3.3　市場(chǎng)應(yīng)用分布
4.3.4　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
4.3.5　產(chǎn)品發(fā)展動(dòng)力
4.4 2020-2022年中國(guó)第三代半導(dǎo)體上游原材料市場(chǎng)發(fā)展分析
4.4.1　上游金屬硅產(chǎn)能釋放
4.4.2　上游金屬硅價(jià)格走勢(shì)
4.4.3　上游氧化鋅市場(chǎng)現(xiàn)狀
4.4.4　上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局
4.4.5　上游材料競(jìng)爭(zhēng)狀況分析
4.5 中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
4.5.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題
4.5.2　市場(chǎng)推進(jìn)難題
4.5.3　技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)
4.5.4　材料發(fā)展挑戰(zhàn)
4.6 中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對(duì)策
4.6.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議
4.6.2　建設(shè)發(fā)展聯(lián)盟
4.6.3　加強(qiáng)企業(yè)培育
4.6.4　集聚產(chǎn)業(yè)人才
4.6.5　推動(dòng)應(yīng)用示范
4.6.6　材料發(fā)展思路
第五章 2020-2022年第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GAN）材料及器件發(fā)展分析
5.1 GaN材料基本性質(zhì)及制備工藝發(fā)展?fàn)顩r
5.1.1　GaN產(chǎn)業(yè)鏈條
5.1.2　GaN結(jié)構(gòu)性能
5.1.3　GaN制備工藝
5.1.4　GaN材料類型
5.1.5　技術(shù)專利情況
5.1.6　技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
5.2 GaN材料市場(chǎng)發(fā)展概況分析
5.2.1　市場(chǎng)供給情況
5.2.2　材料價(jià)格走勢(shì)
5.2.3　材料技術(shù)水平
5.2.4　應(yīng)用市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
5.2.5　應(yīng)用市場(chǎng)預(yù)測(cè)
5.2.6　市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)狀況
5.3 GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
5.3.1　器件產(chǎn)品類別
5.3.2　GaN晶體管
5.3.3　射頻器件產(chǎn)品
5.3.4　電力電子器件
5.3.5　光電子器件
5.4 GaN器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
5.4.1　電子電力器件應(yīng)用
5.4.2　高頻功率器件應(yīng)用
5.4.3　應(yīng)用實(shí)現(xiàn)條件與對(duì)策
5.5 GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)
5.5.1　器件技術(shù)難題
5.5.2　電源技術(shù)瓶頸
5.5.3　風(fēng)險(xiǎn)控制建議
第六章 2020-2022年第三代半導(dǎo)體碳化硅（SIC）材料及器件發(fā)展分析
6.1 SiC材料基本性質(zhì)與制備技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
6.1.1　SiC性能特點(diǎn)
6.1.2　SiC制備工藝
6.1.3　SiC產(chǎn)品類型
6.1.4　單晶技術(shù)專利
6.1.5　技術(shù)發(fā)展路線
6.2 SiC材料市場(chǎng)發(fā)展概況分析
6.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展階段
6.2.2　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
6.2.3　材料價(jià)格走勢(shì)
6.2.4　材料市場(chǎng)規(guī)模
6.2.5　材料技術(shù)水平
6.2.6　市場(chǎng)應(yīng)用情況
6.2.7　企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
6.3 SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
6.3.1 電力電子器件
6.3.2　功率模塊產(chǎn)品
6.3.3　器件產(chǎn)品布局
6.3.4　產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)
6.4 SiC器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
6.4.1　應(yīng)用整體技術(shù)路線
6.4.2　電網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.3 電力牽引應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.4　電動(dòng)汽車應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.5　家用電器和消費(fèi)類電子應(yīng)用
第七章 2020-2022年第三代半導(dǎo)體其他材料發(fā)展?fàn)顩r分析
7.1 Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.1.1　基礎(chǔ)概念介紹
7.1.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.1.3　材料制備工藝
7.1.4　主要器件產(chǎn)品
7.1.5　應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.1.6　發(fā)展建議對(duì)策
7.2 寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.2.1　基本概念介紹
7.2.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.2.3　材料制備工藝
7.2.4　主要應(yīng)用器件
7.3 氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.3.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.3.2　材料應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
7.3.3　材料國(guó)外進(jìn)展
7.3.4　國(guó)內(nèi)研究成果
7.3.5　器件應(yīng)用發(fā)展
7.3.6　未來(lái)發(fā)展前景
7.4 金剛石半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.4.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.4.2　材料研究背景
7.4.3　材料發(fā)展特點(diǎn)
7.4.4　主要器件產(chǎn)品
7.4.5　應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.4.6　國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇
7.4.7　材料發(fā)展難點(diǎn)
第八章 2020-2022年第三代半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展分析
8.1 第三代半導(dǎo)體下游產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展概況
8.1.1　下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)分布
8.1.2　下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)
8.1.3　下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛
8.2 2020-2022年電子電力領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.2.1　全球市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
8.2.2　國(guó)內(nèi)市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
8.2.3　國(guó)內(nèi)器件應(yīng)用分布
8.2.4　國(guó)內(nèi)應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模
8.2.5　器件廠商布局分析
8.2.6　器件產(chǎn)品價(jià)格走勢(shì)
8.3 2020-2022年微波射頻領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.3.1 射頻器件市場(chǎng)規(guī)模
8.3.2　射頻器件市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
8.3.3　射頻器件市場(chǎng)需求
8.3.4　國(guó)防基站應(yīng)用規(guī)模
8.3.5 射頻器件發(fā)展趨勢(shì)
8.4 2020-2022年半導(dǎo)體照明領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.4.1　發(fā)展政策支持
8.4.2　行業(yè)發(fā)展規(guī)模
8.4.3　產(chǎn)業(yè)鏈分析
8.4.4　應(yīng)用市場(chǎng)分布
8.4.5　技術(shù)發(fā)展方向
8.4.6　行業(yè)發(fā)展展望
8.5 2020-2022年半導(dǎo)體激光器發(fā)展?fàn)顩r
8.5.1　市場(chǎng)規(guī)?，F(xiàn)狀
8.5.2　企業(yè)發(fā)展格局
8.5.3　應(yīng)用研發(fā)現(xiàn)狀
8.5.4　主要技術(shù)分析
8.5.5　國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)
8.6 2020-2022年5G新基建領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.6.1 5G建設(shè)進(jìn)程
8.6.2　應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模
8.6.3　基站需求規(guī)模
8.6.4　應(yīng)用發(fā)展方向
8.6.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
8.7 2020-2022年新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.7.1　行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模
8.7.2　主要應(yīng)用場(chǎng)景
8.7.3　企業(yè)布局情況
8.7.4　市場(chǎng)應(yīng)用空間
8.7.5　市場(chǎng)需求預(yù)測(cè)
第九章 2020-2022年第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展分析
9.1 2020-2022年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況
9.1.1　產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布
9.1.2　區(qū)域建設(shè)回顧
9.2 京津翼地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.2.1　北京產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.2.2　順義產(chǎn)業(yè)扶持政策
9.2.3　保定產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.2.4　應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地
9.2.5　區(qū)域未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
9.3 中西部地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.3.1　成都產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.3.2　重慶產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.3.3　西安產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4 珠三角地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.4.1　廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策
9.4.2　廣州市產(chǎn)業(yè)支持
9.4.3　深圳產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4.4　東莞產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4.5　區(qū)域未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
9.5 華東地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.5.1　江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況
9.5.2　蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)展
9.5.3　山東產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃
9.5.4　廈門產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.5.5　區(qū)域未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
9.6 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議
9.6.1　提高資源整合效率
9.6.2　補(bǔ)足SiC領(lǐng)域短板
9.6.3　開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
9.6.4　鼓勵(lì)地方加大投入
第十章 2019-2022年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.1 三安光電股份有限公司
10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2　業(yè)務(wù)布局動(dòng)態(tài)
10.1.3　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.1.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.1.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.1.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.1.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.1.8　未來(lái)前景展望
10.2 北京賽微電子股份有限公司
10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2　相關(guān)業(yè)務(wù)布局
10.2.3　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.2.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.2.5　財(cái)務(wù)狀況分析
10.2.6　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.2.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.2.8　未來(lái)前景展望
10.3 廈門乾照光電股份有限公司
10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.3.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.3.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.3.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.3.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.3.7　未來(lái)前景展望
10.4 湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司
10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.4.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.4.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.4.7　未來(lái)前景展望
10.5 華燦光電股份有限公司
10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.5.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.5.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.5.7　未來(lái)前景展望
10.6 聞泰科技股份有限公司
10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.6.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.6.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.6.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.6.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.6.7　未來(lái)前景展望
10.7 株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司
10.7.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.7.2　經(jīng)營(yíng)效益分析
10.7.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.7.4　財(cái)務(wù)狀況分析
10.7.5　核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.7.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.7.7　未來(lái)前景展望
第十一章　鴻晟信合對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資價(jià)值綜合評(píng)估
11.1 行業(yè)投資背景
11.1.1　行業(yè)投資規(guī)模
11.1.2　投資市場(chǎng)周期
11.1.3　行業(yè)投資前景
11.2 行業(yè)投融資情況
11.2.1　國(guó)際投資案例
11.2.2　國(guó)內(nèi)投資項(xiàng)目
11.2.3　國(guó)際企業(yè)并購(gòu)
11.2.4　國(guó)內(nèi)企業(yè)并購(gòu)
11.2.5　企業(yè)融資動(dòng)態(tài)
11.3 行業(yè)投資壁壘
11.3.1　技術(shù)壁壘
11.3.2　資金壁壘
11.3.3　貿(mào)易壁壘
11.4 行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)
11.4.1　企業(yè)經(jīng)營(yíng)風(fēng)險(xiǎn)
11.4.2　技術(shù)迭代風(fēng)險(xiǎn)
11.4.3　行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)風(fēng)險(xiǎn)
11.4.4　產(chǎn)業(yè)政策變化風(fēng)險(xiǎn)
11.5 行業(yè)投資建議
11.5.1　積極把握5G通訊市場(chǎng)機(jī)遇
11.5.2　收購(gòu)企業(yè)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破
11.5.3　關(guān)注新能源汽車催生需求
11.5.4　國(guó)內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉(zhuǎn)型
11.5.5　加強(qiáng)高校與科研院所合作
11.6 投資項(xiàng)目案例
11.6.1　項(xiàng)目基本概述
11.6.2　項(xiàng)目建設(shè)必要性
11.6.3　項(xiàng)目建設(shè)可行性
11.6.4　項(xiàng)目資金概算
11.6.5　項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益
第十二章 2023-2027年鴻晟信合對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前景與趨勢(shì)預(yù)測(cè)
12.1 第三代半導(dǎo)體未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
12.1.1　產(chǎn)業(yè)成本趨勢(shì)
12.1.2　未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
12.1.3　應(yīng)用領(lǐng)域趨勢(shì)
12.2 第三代半導(dǎo)體未來(lái)發(fā)展前景
12.2.1　重要發(fā)展窗口期
12.2.2　產(chǎn)業(yè)應(yīng)用前景
12.2.3　產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇
12.2.4　產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)機(jī)遇
12.2.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
12.3 鴻晟信合對(duì)2023-2027年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測(cè)分析
12.3.1　2023-2027年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)影響因素分析
12.3.2　2023-2027年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電子電力和射頻電子總產(chǎn)值預(yù)測(cè)
附錄
附錄一：新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策
附錄二：關(guān)于促進(jìn)中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體等前沿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施

圖表目錄

圖表1　第三代半導(dǎo)體特點(diǎn)
圖表2　第三代半導(dǎo)體主要材料
圖表3　不同半導(dǎo)體材料性能比較（一）
圖表4　不同半導(dǎo)體材料性能比較（二）
圖表5　碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)
圖表6　半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀
圖表7　半導(dǎo)體材料頻率和功率特性對(duì)比
圖表8　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)演進(jìn)示意圖
圖表9　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表10　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表11　第三代半導(dǎo)體襯底制備流程
圖表12　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖譜
圖表13　第三代半導(dǎo)體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系
圖表14　國(guó)際電工委員會(huì)（IEC）第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)
圖表15　固態(tài)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)（JEDEC）第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)
圖表16　國(guó)際部分汽車電子標(biāo)準(zhǔn)
圖表17　2018-2020年RF GaN HEMT和Si LDMOS平均價(jià)格
圖表18　1990-2020年國(guó)外SiC技術(shù)進(jìn)展
圖表19　國(guó)際上已經(jīng)商業(yè)化的SiC SBD的器件性能
圖表20　2020年國(guó)際企業(yè)新推出的SiC MOSFET產(chǎn)品
圖表21　國(guó)際已經(jīng)商業(yè)化的SiC晶體管器件性能
圖表22　2020年國(guó)際企業(yè)新推出的SiC功率模塊產(chǎn)品
圖表23　國(guó)際上已經(jīng)商業(yè)化的GaN電力電子器件性能
圖表24　國(guó)際上商業(yè)化的GaN射頻產(chǎn)品性能
圖表25　2020年國(guó)際企業(yè)推出的GaN射頻產(chǎn)品
圖表26　國(guó)際主要三代半上市企業(yè)業(yè)績(jī)
圖表27　2022年第三代半導(dǎo)體國(guó)際相關(guān)企業(yè)動(dòng)向
圖表28　2022年國(guó)際部分企業(yè)第三代半導(dǎo)體相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目
圖表29　2020年主要第三代半導(dǎo)體企業(yè)合作動(dòng)態(tài)
圖表30　美國(guó)下一代功率電子技術(shù)國(guó)家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（一）
圖表31　美國(guó)下一代功率電子技術(shù)國(guó)家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（二）
圖表32　2020年美國(guó)設(shè)立的部分第三代半導(dǎo)體相關(guān)研發(fā)項(xiàng)目
圖表33　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（一）
圖表34　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（二）
圖表35　2020年歐盟和英國(guó)設(shè)立的部分第三代半導(dǎo)體相關(guān)研發(fā)項(xiàng)目
圖表36　歐洲LAST POWER產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目成員
圖表37　《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》中第三代半導(dǎo)體相關(guān)內(nèi)容
圖表38　2019-2021年國(guó)家層面第三代半導(dǎo)體支持政策匯總
圖表39　2022年第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策的分布情況
圖表40　2022年第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域地方政府部分政策法規(guī)列表
圖表41　中國(guó)第三代半導(dǎo)體現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
圖表42　CASA聯(lián)盟第三代半導(dǎo)體團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
圖表43　2017-2021年中國(guó)生產(chǎn)總值及其增長(zhǎng)速度
圖表44　2017-2021年中國(guó)三次產(chǎn)業(yè)增加值占國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值比重
圖表45　2022年二季度和上半年GDP初步核算數(shù)據(jù)
圖表46　2017-2021年全部工業(yè)增加值及其增長(zhǎng)速度
圖表47　2021年主要工業(yè)產(chǎn)品產(chǎn)量及其增長(zhǎng)速度
圖表48　2021-2022年中國(guó)規(guī)模以上工業(yè)增加值同比增長(zhǎng)速度
圖表49　2022年規(guī)模以上工業(yè)生產(chǎn)主要數(shù)據(jù)
圖表50　2017-2021年本專科、中等職業(yè)教育及普通高中招生人數(shù)
圖表51　2016-2020年研究與試驗(yàn)發(fā)展（R&D）經(jīng)費(fèi)支出及其增長(zhǎng)速度
圖表52　2020年專利申請(qǐng)、授權(quán)和有效專利情況
圖表53　2021年財(cái)政科學(xué)技術(shù)支出情況
圖表54　2021年分行業(yè)規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)研究與試驗(yàn)發(fā)展（R&D）經(jīng)費(fèi)情況
圖表55　國(guó)內(nèi)高校、研究所與企業(yè)的技術(shù)合作與轉(zhuǎn)化
圖表56　截至2021年底中國(guó)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)TOP10
圖表57　2002-2021年中國(guó)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域地區(qū)專利申請(qǐng)趨勢(shì)
圖表58　國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃2021年度第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目申報(bào)情況（一）
圖表59　國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃2021年度第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目申報(bào)情況（二）
圖表60　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)起單位
圖表61　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
圖表62　全球推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和技術(shù)發(fā)展的國(guó)家計(jì)劃
圖表63　《中國(guó)制造2025》第三代半導(dǎo)體相關(guān)發(fā)展目標(biāo)
圖表64　2022年國(guó)內(nèi)Sic襯底外延新增產(chǎn)能
圖表65　2022年第三代半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目地區(qū)分布
圖表66　2022年第三代半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目地區(qū)分布
圖表67　2022年第三代半導(dǎo)體各環(huán)節(jié)投資金額占比
圖表68　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)列表
圖表69　2016-2021年中國(guó)SiC、GaN電子電力和GaN微波射頻總產(chǎn)值
圖表70　2016-2021年中國(guó)第三代半導(dǎo)體細(xì)分市場(chǎng)規(guī)模變動(dòng)情況
圖表71　2020年SiC、GaN電力電子器件下游應(yīng)用分布
圖表72　2020年GaN射頻器件下游應(yīng)用分布情況
圖表73　中國(guó)主流企業(yè)第三代半導(dǎo)體布局情況
圖表74　2017-2022年中國(guó)金屬硅產(chǎn)量統(tǒng)計(jì)情況
圖表75　2021年中國(guó)金屬硅產(chǎn)量區(qū)域分布情況
圖表76　2008-2020年中國(guó)工業(yè)硅價(jià)格走勢(shì)
圖表77　2021-2022年工業(yè)硅與動(dòng)力煤價(jià)格對(duì)比
圖表78　2021-2022年氧化鋅進(jìn)口總量對(duì)比圖
圖表79　2022年氧化鋅主要進(jìn)口國(guó)統(tǒng)計(jì)
圖表80　2021-2022年氧化鋅出口總量對(duì)比圖
圖表81　2022年氧化鋅主要出口國(guó)統(tǒng)計(jì)
圖表82 氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈主要的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)廠商（一）
圖表83　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈主要的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)廠商（二）
圖表84　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈主要的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)廠商（三）
圖表85　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)內(nèi)主要企業(yè)
圖表86　國(guó)內(nèi)碳化硅單晶企業(yè)
圖表87　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈
圖表88　氮化鎵行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈全景圖
圖表89　GaN原子結(jié)構(gòu)
圖表90　典型GaN HEMT結(jié)構(gòu)
圖表91　GaN制備流程
圖表92　HVPE系統(tǒng)示意圖
圖表93　GaN外延生長(zhǎng)常用方法示意圖
圖表94　2018-2022年氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)量申請(qǐng)/授權(quán)數(shù)量及占比情況
圖表95　截至2022年底氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠愋头植记闆r
圖表96　截至2022年中國(guó)氮化鎵技術(shù)的專利地域分布情況
圖表97　2019-2030年中國(guó)第三代半導(dǎo)體GaN材料關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展路線表
圖表98　截止2020年中國(guó)GaN晶圓制造產(chǎn)線匯總
圖表99　截至2020年底我國(guó)氮化鎵（GaN）產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)
圖表100　2016-2020年中國(guó)SiC、GaN電子電力和GaN微波射頻產(chǎn)值
圖表101　2020年SiC、GaN電力電子器件下游應(yīng)用領(lǐng)域
圖表102　2020年中國(guó)GaN射頻器件下游應(yīng)用領(lǐng)域
圖表103　GaN功率器件應(yīng)用領(lǐng)域與市場(chǎng)份額
圖表104　氮化鎵行業(yè)代表性產(chǎn)能/產(chǎn)量情況
圖表105　氮化鎵行業(yè)代表性企業(yè)投資動(dòng)向
圖表106　GaN半導(dǎo)體器件類別及應(yīng)用
圖表107　GaN器件主要產(chǎn)品
圖表108　Cascode GaN晶體管
圖表109　EPC的電氣參數(shù)
圖表110　LGA封裝示意圖
圖表111　境外GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)企業(yè)
圖表112　大陸GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)企業(yè)
圖表113　GaN電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)占示意圖
圖表114　Navitas GaN單管應(yīng)用舉例
圖表115　激光雷達(dá)脈沖寬度對(duì)距離測(cè)量分辨率的影響
圖表116　Si和GaN器件驅(qū)動(dòng)的激光雷達(dá)成像分辨率對(duì)比圖
圖表117　恒定電壓供電方式的典型波形
圖表118　包絡(luò)線跟隨供電方式的典型波形
圖表119　ET技術(shù)的原理框圖
圖表120　DBC方式的硅基器件的熱阻發(fā)展趨勢(shì)
圖表121　2020年GaN器件產(chǎn)品電壓范圍占比預(yù)測(cè)
圖表122　SiC襯底制作工藝流程
圖表123　CVD法制備碳化硅外延工藝流程
圖表124　國(guó)內(nèi)SiC襯底技術(shù)指標(biāo)進(jìn)展
圖表125　2020年國(guó)內(nèi)企業(yè)推出的SiC器件
圖表126　2018-2022年碳化硅單晶技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)/授權(quán)數(shù)量及占比情況
圖表127　截至2022年中國(guó)氮化硅單晶技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠愋头植?br /> 圖表128　截至2022年碳化硅單晶技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠麉^(qū)域分布情況
圖表129　2019-2030年中國(guó)第三代半導(dǎo)體SiC材料關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展路線表
圖表130　SiC行業(yè)發(fā)展階段曲線
圖表131　SiC產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)企業(yè)
圖表132　2018-2021年天科合達(dá)、天岳先進(jìn)碳化硅襯底銷售均價(jià)和同比
圖表133　2018-2020天岳導(dǎo)電型SiC襯底的銷售單價(jià)
圖表134　2018-2020年天岳半絕緣型SiC襯底的銷售單價(jià)
圖表135　2023-2027年全球SiC材料的市場(chǎng)空間預(yù)測(cè)
圖表136　8英寸SiC晶體和晶片照片
圖表137　8英寸SiC晶片的Raman散射圖譜
圖表138　8英寸4度偏角（4 off-axis）SiC晶片（0004）面的X射線搖擺曲線
圖表139　SiC器件市場(chǎng)規(guī)模及下游應(yīng)用展望
圖表140　SiC下游應(yīng)用的發(fā)展情況
圖表141　2021年全球SiC襯底整體市場(chǎng)份額
圖表142　2020年全球半絕緣型SiC襯底市場(chǎng)份額
圖表143　主要SiC襯底制造廠商的進(jìn)展情況
圖表144　碳化硅電力電子器件分類
圖表145　功率模塊封裝中幾種上表面工藝的優(yōu)劣對(duì)比
圖表146　碳化硅在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用
圖表147　2020-2048年SiC器件在電網(wǎng)應(yīng)用的技術(shù)路線
圖表148　2020-2048年電力電子變壓器（PET）發(fā)展預(yù)測(cè)
圖表149　2020-2048年靈活交流輸電裝置（FACTS）發(fā)展預(yù)測(cè)
圖表150　2020-2048年光伏逆變器發(fā)展預(yù)測(cè)
圖表151　2020-2048年采用SiC器件的光伏逆變器市場(chǎng)占比預(yù)測(cè)
圖表152　2020-2048年固態(tài)開關(guān)發(fā)展預(yù)測(cè)
圖表153　2018-2050年各類別車輛規(guī)模的預(yù)測(cè)
圖表154　2018-2050年各類別應(yīng)用裝置規(guī)模的預(yù)測(cè)
圖表155　2018-2050年應(yīng)用裝置的功率密度預(yù)測(cè)
圖表156　2018-2050年應(yīng)用裝置的工作效率預(yù)測(cè)
圖表157　2018-2050年各種電力電子器件的預(yù)測(cè)
圖表158　2018-2048年車載OBC和非車載充電樁的效率提升預(yù)測(cè)
圖表159　三電平拓?fù)?br /> 圖表160　2018-2048年車載和非車載的換流器開關(guān)頻率提升預(yù)測(cè)
圖表161　Si IGBT和SiC MOSFET控制器效率對(duì)比
圖表162　對(duì)車載和非車載的器件要求
圖表163　2018-2025年SiC器件的封裝預(yù)測(cè)
圖表164　2020-2048年電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)采用SiC器件發(fā)展預(yù)測(cè)
圖表165　2020-2048年電動(dòng)汽車無(wú)線充電設(shè)施采用SiC器件發(fā)展預(yù)測(cè)
圖表166　家用消費(fèi)類電子產(chǎn)品的分類
圖表167　適配器電源產(chǎn)品的能效等級(jí)要求
圖表168　歐美主要國(guó)家強(qiáng)制實(shí)施的能效等級(jí)要求
圖表169　不同家用電子產(chǎn)品耗電量分布圖
圖表170　空調(diào)電氣控制系統(tǒng)應(yīng)用框圖
圖表171　開通電壓/電流波形對(duì)比
圖表172　SiC混合功率模塊開關(guān)損耗對(duì)比
圖表173　2000-2030年功率模塊未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
圖表174　2020-2048年家用電器和消費(fèi)類電子采用SiC功率模塊發(fā)展預(yù)測(cè)
圖表175　氮化鋁晶體結(jié)構(gòu)及晶須
圖表176　氮化鋁陶瓷基板的性能優(yōu)勢(shì)
圖表177　InGaZnO4晶體結(jié)構(gòu)
圖表178　β-Ga2O3功率器件與其他主要半導(dǎo)體功率器件的理論性能極限
圖表179　在電流和電壓需求方面Si，SiC，GaN和GaO功率電子器件的應(yīng)用
圖表180　金剛石結(jié)構(gòu)
圖表181　金剛石與其他半導(dǎo)體材料特性對(duì)比
圖表182　2025第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展目標(biāo)
圖表183　2018-2020年全球SiC、GaN在電力電子器件的應(yīng)用規(guī)模
圖表184　2017-2023年SiC vs GaN vs Si在電力電子領(lǐng)域滲透率情況
圖表185　2016-2020年中國(guó)SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模變化情況
圖表186　2020年中國(guó)SiC、GaN電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
圖表187　2019-2025年新能源汽車市場(chǎng)SiC、GaN功率市場(chǎng)規(guī)模
圖表188　2019-2025年P(guān)D快充GaN電力電子器件市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)
圖表189　應(yīng)用于新能源汽車的GaN芯片
圖表190　2017-2020年650V SiC SBD價(jià)格變化情況
圖表191　2017-2020年1200V SiC SBD價(jià)格變化情況
圖表192　2019-2020年SiC MOSFET平均價(jià)格
圖表193　2018-2020年650V SiC MOSFET和Si IGBT價(jià)格比較
圖表194　2017-2022年中國(guó)GaN微波射頻器應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模
圖表195　2020年中國(guó)GaN射頻器件各細(xì)分市場(chǎng)規(guī)模占比
圖表196　2011-2021年中國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)規(guī)模及增長(zhǎng)率
圖表197　LED半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)
圖表198　2020年中國(guó)半導(dǎo)體照明應(yīng)用領(lǐng)域分布
圖表199　2021年國(guó)家科技部啟動(dòng)的重點(diǎn)專項(xiàng)相關(guān)項(xiàng)目
圖表200　國(guó)內(nèi)主要半導(dǎo)體激光器企業(yè)情況
圖表201　全球半導(dǎo)體激光器應(yīng)用場(chǎng)景格局
圖表202　2019-2022年中國(guó)5G基站數(shù)量統(tǒng)計(jì)情況
圖表203　2020年中國(guó)GaN射頻器件應(yīng)用市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
圖表204　我國(guó)5G宏基站4英寸GaN晶圓需求量
圖表205 5G主要技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體材料的需求
圖表206　2021年中國(guó)新能源汽車生產(chǎn)情況
圖表207　2021年中國(guó)新能源汽車銷售情況
圖表208　2019-2021年中國(guó)新能源汽車月度銷量
圖表209　2022年新能源汽車產(chǎn)銷量數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)
圖表210　SiC在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用
圖表211　搭載SiC功率模塊的全新豐田MIRAI與原MIRAI性能對(duì)比
圖表212　L1-L5各級(jí)別自動(dòng)駕駛所需各類傳感器的數(shù)量
圖表213　L3不同級(jí)別自動(dòng)駕駛汽車的半導(dǎo)體增量成本構(gòu)成
圖表214　2015-2040年中國(guó)智能駕駛汽車滲透率
圖表215　2021-2025年中國(guó)汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)
圖表216　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)分布熱力地圖
圖表217　第三代半導(dǎo)體行業(yè)代表性企業(yè)區(qū)域分布圖
圖表218　國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)回顧
圖表219　國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)進(jìn)展（二）
圖表220　國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)進(jìn)展（三）
圖表221　重慶第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策
圖表222　2019-2022年三安光電股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表223　2019-2022年三安光電股份有限公司營(yíng)業(yè)收入及增速
圖表224　2019-2022年三安光電股份有限公司凈利潤(rùn)及增速
圖表225　2021年三安光電股份有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)分行業(yè)、產(chǎn)品、地區(qū)、銷售模式
圖表226　2021-2022年三安光電股份有限公司營(yíng)業(yè)收入情況
圖表227　2019-2022年三安光電股份有限公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率
圖表228　2019-2022年三安光電股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表229　2019-2022年三安光電股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表230　2019-2022年三安光電股份有限公司資產(chǎn)負(fù)債率水平
圖表231　2019-2022年三安光電股份有限公司運(yùn)營(yíng)能力指標(biāo)
圖表232　北京賽微電子股份有限公司發(fā)展戰(zhàn)略
圖表233　2019-2022年北京賽微電子股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表234　2019-2022年北京賽微電子股份有限公司營(yíng)業(yè)收入及增速
圖表235　2019-2022年北京賽微電子股份有限公司凈利潤(rùn)及增速
圖表236　2020-2021年北京賽微電子股份有限公司營(yíng)業(yè)收入分行業(yè)、產(chǎn)品、地區(qū)、銷售模式
圖表237　2022年北京賽微電子股份有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)分產(chǎn)品或服務(wù)
圖表238　2019-2022年北京賽微電子股份有限公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率
圖表239　2019-2022年北京賽微電子股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表240　2019-2022年北京賽微電子股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表241　2019-2022年北京賽微電子股份有限公司資產(chǎn)負(fù)債率水平
圖表242　2019-2022年北京賽微電子股份有限公司運(yùn)營(yíng)能力指標(biāo)
圖表243　2019-2022年廈門乾照光電股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表244　2019-2022年廈門乾照光電股份有限公司營(yíng)業(yè)收入及增速
圖表245　2019-2022年廈門乾照光電股份有限公司凈利潤(rùn)及增速
圖表246　2020-2021年廈門乾照光電股份有限公司營(yíng)業(yè)收入分行業(yè)、產(chǎn)品、地區(qū)、銷售模式
圖表247　2022年廈門乾照光電股份有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)分產(chǎn)品或服務(wù)
圖表248　2019-2022年廈門乾照光電股份有限公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率
圖表249　2019-2022年廈門乾照光電股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表250　2019-2022年廈門乾照光電股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表251　2019-2022年廈門乾照光電股份有限公司資產(chǎn)負(fù)債率水平
圖表252　2019-2022年廈門乾照光電股份有限公司運(yùn)營(yíng)能力指標(biāo)
圖表253　2019-2022年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表254　2019-2022年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司營(yíng)業(yè)收入及增速
圖表255　2019-2022年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司凈利潤(rùn)及增速
圖表256　2020-2021年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司營(yíng)業(yè)收入分行業(yè)、產(chǎn)品、地區(qū)、銷售模式
圖表257　2022年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)分行業(yè)、產(chǎn)品、地區(qū)
圖表258　2019-2022年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率
圖表259　2019-2022年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表260　2019-2022年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表261　2019-2022年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司資產(chǎn)負(fù)債率水平
圖表262　2019-2022年湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司運(yùn)營(yíng)能力指標(biāo)
圖表263　2019-2022年華燦光電股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表264　2019-2022年華燦光電股份有限公司營(yíng)業(yè)收入及增速
圖表265　2019-2022年華燦光電股份有限公司凈利潤(rùn)及增速
圖表266　2020-2021年華燦光電股份有限公司營(yíng)業(yè)收入分行業(yè)、產(chǎn)品、地區(qū)、銷售模式
圖表267　2022年華燦光電股份有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)分產(chǎn)品或服務(wù)
圖表268　2019-2022年華燦光電股份有限公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率
圖表269　2019-2022年華燦光電股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表270　2019-2022年華燦光電股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表271　2019-2022年華燦光電股份有限公司資產(chǎn)負(fù)債率水平
圖表272　2019-2022年華燦光電股份有限公司運(yùn)營(yíng)能力指標(biāo)
圖表273　2019-2022年聞泰科技股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表274　2019-2022年聞泰科技股份有限公司營(yíng)業(yè)收入及增速
圖表275　2019-2022年聞泰科技股份有限公司凈利潤(rùn)及增速
圖表276　2021年聞泰科技股份有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)分行業(yè)、產(chǎn)品、地區(qū)
圖表277　2021-2022年聞泰科技股份有限公司營(yíng)業(yè)收入情況
圖表278　2019-2022年聞泰科技股份有限公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率
圖表279　2019-2022年聞泰科技股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表280　2019-2022年聞泰科技股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表281　2019-2022年聞泰科技股份有限公司資產(chǎn)負(fù)債率水平
圖表282　2019-2022年聞泰科技股份有限公司運(yùn)營(yíng)能力指標(biāo)
圖表283　2019-2022年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表284　2019-2022年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司營(yíng)業(yè)收入及增速
圖表285　2019-2022年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司凈利潤(rùn)及增速
圖表286　2021年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司主營(yíng)業(yè)務(wù)分行業(yè)、產(chǎn)品、地區(qū)
圖表287　2021-2022年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司營(yíng)業(yè)收入情況
圖表288　2019-2022年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率
圖表289　2019-2022年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表290　2019-2022年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表291　2019-2022年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司資產(chǎn)負(fù)債率水平
圖表292　2019-2022年株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司運(yùn)營(yíng)能力指標(biāo)
圖表293　2017-2020年第三代半導(dǎo)體投資擴(kuò)產(chǎn)情況
圖表294　2020年國(guó)內(nèi)主要第三代半導(dǎo)體投資擴(kuò)產(chǎn)情況
圖表295　2022年第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目投融資統(tǒng)計(jì)
圖表296　2020年重點(diǎn)企業(yè)融資情況
圖表297　第三代半導(dǎo)體及IGBT技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目總投資的概算表如下：
圖表298　2016-2030年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測(cè)
圖表299　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于窗口期
圖表300　國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)合作情況
圖表301　鴻晟信合對(duì)2023-2027年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電子電力和射頻電子總產(chǎn)值預(yù)測(cè)