中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)需求前景與未來趨勢預(yù)測分析報告2022版

中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)需求前景與未來趨勢預(yù)測分析報告2022-2028年版

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章　第三代半導(dǎo)體相關(guān)概述
1.1 第三代半導(dǎo)體基本介紹
1.1.1　基礎(chǔ)概念界定
1.1.2　主要材料簡介
1.1.3　歷代材料性能
1.1.4　產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
1.2 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程分析
1.2.1　材料發(fā)展歷程
1.2.2　產(chǎn)業(yè)演進全景
1.2.3　產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移路徑
1.3 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成及特點
1.3.1　產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)簡介
1.3.2　產(chǎn)業(yè)鏈圖譜分析
1.3.3　產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系
1.3.4　產(chǎn)業(yè)鏈體系分工
第二章 2020-2022年全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
2.1 2020-2022年全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)運行狀況
2.1.1　標(biāo)準(zhǔn)制定情況
2.1.2　國際產(chǎn)業(yè)格局
2.1.3　市場發(fā)展規(guī)模
2.1.4　SiC創(chuàng)新進展
2.1.5　GaN創(chuàng)新進展
2.1.6　企業(yè)競爭格局
2.1.7　企業(yè)發(fā)展布局
2.1.8　企業(yè)合作動態(tài)
2.2 美國
2.2.1　經(jīng)費投入規(guī)模
2.2.2　產(chǎn)業(yè)技術(shù)優(yōu)勢
2.2.3　技術(shù)創(chuàng)新中心
2.2.4　項目研發(fā)情況
2.2.5　項目建設(shè)動態(tài)
2.2.6　戰(zhàn)略層面部署
2.3 日本
2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃
2.3.2　封裝技術(shù)聯(lián)盟
2.3.3　產(chǎn)業(yè)重視原因
2.3.4　技術(shù)狀況
2.3.5　企業(yè)發(fā)展布局
2.3.6　國際合作動態(tài)
2.4 歐盟
2.4.1　項目研發(fā)情況
2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)
2.4.3　前沿企業(yè)格局
2.4.4　未來發(fā)展熱點
第三章 2020-2022年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境PEST分析
3.1 政策環(huán)境（Political）
3.1.1　中央部委政策支持
3.1.2　地方政府扶持政策
3.1.3　行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)行情況
3.1.4　中美貿(mào)易摩擦影響
3.2 經(jīng)濟環(huán)境（Economic）
3.2.1　宏觀經(jīng)濟概況
3.2.2　工業(yè)經(jīng)濟運行
3.2.3　投資結(jié)構(gòu)優(yōu)化
3.2.4 宏觀經(jīng)濟展望
3.3 社會環(huán)境（Social）
3.3.1　社會教育水平
3.3.2　知識專利水平
3.3.3　研發(fā)經(jīng)費投入
3.3.4　技術(shù)人才儲備
3.4 技術(shù)環(huán)境（Technological）
3.4.1　專利申請狀況
3.4.2　科技計劃專項
3.4.3　制造技術(shù)成熟
3.4.4　產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟
第四章 2020-2022年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
4.1 中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點
4.1.1　數(shù)字基建打開成長空間
4.1.2　背光市場空間逐步擴大
4.1.3　襯底和外延是關(guān)鍵環(huán)節(jié)
4.1.4　各國政府高度重視發(fā)展
4.1.5　產(chǎn)業(yè)鏈向國內(nèi)轉(zhuǎn)移明顯
4.2 2020-2022年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展運行綜述
4.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.2.2　產(chǎn)能項目規(guī)模
4.2.3　產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
4.2.4　國產(chǎn)替代狀況
4.2.5　行業(yè)發(fā)展空間
4.3 2020-2022年中國第三代半導(dǎo)體市場運行狀況分析
4.3.1　市場發(fā)展規(guī)模
4.3.2　細分市場規(guī)模
4.3.3　市場應(yīng)用分布
4.3.4　企業(yè)競爭格局
4.3.5　產(chǎn)品發(fā)展動力
4.4 2020-2022年中國第三代半導(dǎo)體上游原材料市場發(fā)展分析
4.4.1　上游金屬硅產(chǎn)能釋放
4.4.2　上游金屬硅價格走勢
4.4.3　上游氧化鋅市場現(xiàn)狀
4.4.4　上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局
4.4.5　上游材料競爭狀況分析
4.5 中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
4.5.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題
4.5.2　市場推進難題
4.5.3　技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)
4.5.4　材料發(fā)展挑戰(zhàn)
4.6 中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對策
4.6.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議
4.6.2　建設(shè)發(fā)展聯(lián)盟
4.6.3　加強企業(yè)培育
4.6.4　集聚產(chǎn)業(yè)人才
4.6.5　推動應(yīng)用示范
4.6.6　材料發(fā)展思路
第五章 2020-2022年第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GAN）材料及器件發(fā)展分析
5.1 GaN材料基本性質(zhì)及制備工藝發(fā)展?fàn)顩r
5.1.1　GaN產(chǎn)業(yè)鏈條
5.1.2　GaN結(jié)構(gòu)性能
5.1.3　GaN制備工藝
5.1.4　GaN材料類型
5.1.5　技術(shù)專利情況
5.1.6　技術(shù)發(fā)展趨勢
5.2 GaN材料市場發(fā)展概況分析
5.2.1　市場供給情況
5.2.2　材料價格走勢
5.2.3　材料技術(shù)水平
5.2.4　應(yīng)用市場結(jié)構(gòu)
5.2.5　應(yīng)用市場預(yù)測
5.2.6　市場競爭狀況
5.3 GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
5.3.1　器件產(chǎn)品類別
5.3.2　GaN晶體管
5.3.3　射頻器件產(chǎn)品
5.3.4　電力電子器件
5.3.5　光電子器件
5.4 GaN器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
5.4.1　電子電力器件應(yīng)用
5.4.2　高頻功率器件應(yīng)用
5.4.3　應(yīng)用實現(xiàn)條件與對策
5.5 GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)
5.5.1　器件技術(shù)難題
5.5.2　電源技術(shù)瓶頸
5.5.3　風(fēng)險控制建議
第六章 2020-2022年第三代半導(dǎo)體碳化硅（SIC）材料及器件發(fā)展分析
6.1 SiC材料基本性質(zhì)與制備技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
6.1.1　SiC性能特點
6.1.2　SiC制備工藝
6.1.3　SiC產(chǎn)品類型
6.1.4　單晶技術(shù)專利
6.1.5　技術(shù)發(fā)展路線
6.2 SiC材料市場發(fā)展概況分析
6.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展階段
6.2.2　產(chǎn)業(yè)鏈條分析
6.2.3　材料價格走勢
6.2.4　材料市場規(guī)模
6.2.5　材料技術(shù)水平
6.2.6　市場應(yīng)用情況
6.2.7　企業(yè)競爭格局
6.3 SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
6.3.1 電力電子器件
6.3.2　功率模塊產(chǎn)品
6.3.3　器件產(chǎn)品布局
6.3.4　產(chǎn)品發(fā)展趨勢
6.4 SiC器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
6.4.1　應(yīng)用整體技術(shù)路線
6.4.2　電網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.3 電力牽引應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.4　電動汽車應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.5　家用電器和消費類電子應(yīng)用
第七章 2020-2022年第三代半導(dǎo)體其他材料發(fā)展?fàn)顩r分析
7.1 Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.1.1　基礎(chǔ)概念介紹
7.1.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.1.3　材料制備工藝
7.1.4　主要器件產(chǎn)品
7.1.5　應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.1.6　發(fā)展建議對策
7.2 寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.2.1　基本概念介紹
7.2.2　材料結(jié)構(gòu)性能
7.2.3　材料制備工藝
7.2.4　主要應(yīng)用器件
7.3 氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.3.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.3.2　材料應(yīng)用優(yōu)勢
7.3.3　材料國外進展
7.3.4　國內(nèi)研究成果
7.3.5　器件應(yīng)用發(fā)展
7.3.6　未來發(fā)展前景
7.4 金剛石半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.4.1　材料結(jié)構(gòu)性能
7.4.2　材料研究背景
7.4.3　材料發(fā)展特點
7.4.4　主要器件產(chǎn)品
7.4.5　應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.4.6　國產(chǎn)替代機遇
7.4.7　材料發(fā)展難點
第八章 2020-2022年第三代半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展分析
8.1 第三代半導(dǎo)體下游產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展概況
8.1.1　下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)分布
8.1.2　下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢特點
8.1.3　下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛
8.2 2020-2022年電子電力領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.2.1　全球市場發(fā)展規(guī)模
8.2.2　國內(nèi)市場發(fā)展規(guī)模
8.2.3　國內(nèi)器件應(yīng)用分布
8.2.4　國內(nèi)應(yīng)用市場規(guī)模
8.2.5　器件廠商布局分析
8.2.6　器件產(chǎn)品價格走勢
8.3 2020-2022年微波射頻領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.3.1 射頻器件市場規(guī)模
8.3.2　射頻器件市場結(jié)構(gòu)
8.3.3　射頻器件市場需求
8.3.4　國防基站應(yīng)用規(guī)模
8.3.5 射頻器件發(fā)展趨勢
8.4 2020-2022年半導(dǎo)體照明領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.4.1　發(fā)展政策支持
8.4.2　行業(yè)發(fā)展規(guī)模
8.4.3　產(chǎn)業(yè)鏈分析
8.4.4　應(yīng)用市場分布
8.4.5　技術(shù)發(fā)展方向
8.4.6　行業(yè)發(fā)展展望
8.5 2020-2022年半導(dǎo)體激光器發(fā)展?fàn)顩r
8.5.1　市場規(guī)?，F(xiàn)狀
8.5.2　企業(yè)發(fā)展格局
8.5.3　應(yīng)用研發(fā)現(xiàn)狀
8.5.4　主要技術(shù)分析
8.5.5　國產(chǎn)化趨勢
8.6 2020-2022年5G新基建領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.6.1 5G建設(shè)進程
8.6.2　應(yīng)用市場規(guī)模
8.6.3　基站需求規(guī)模
8.6.4　應(yīng)用發(fā)展方向
8.6.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
8.7 2020-2022年新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.7.1　行業(yè)市場規(guī)模
8.7.2　主要應(yīng)用場景
8.7.3　企業(yè)布局情況
8.7.4　市場應(yīng)用空間
8.7.5　市場需求預(yù)測
第九章 2020-2022年第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展分析
9.1 2020-2022年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況
9.1.1　產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布
9.1.2　區(qū)域建設(shè)回顧
9.2 京津翼地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.2.1　北京產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.2.2　順義產(chǎn)業(yè)扶持政策
9.2.3　保定產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
9.2.4　應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地
9.2.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.3 中西部地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.3.1　成都產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.3.2　重慶產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.3.3　西安產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4 珠三角地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.4.1　廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策
9.4.2　廣州市產(chǎn)業(yè)支持
9.4.3　深圳產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4.4　東莞產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.4.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.5 華東地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.5.1　江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況
9.5.2　蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)展
9.5.3　山東產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃
9.5.4　廈門產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
9.5.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢
9.6 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議
9.6.1　提高資源整合效率
9.6.2　補足SiC領(lǐng)域短板
9.6.3　開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
9.6.4　鼓勵地方加大投入
第十章 2019-2022年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析
10.1 三安光電股份有限公司
10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2　業(yè)務(wù)布局動態(tài)
10.1.3　經(jīng)營效益分析
10.1.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.1.5　財務(wù)狀況分析
10.1.6　核心競爭力分析
10.1.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.1.8　未來前景展望
10.2 北京賽微電子股份有限公司
10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2　相關(guān)業(yè)務(wù)布局
10.2.3　經(jīng)營效益分析
10.2.4　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.2.5　財務(wù)狀況分析
10.2.6　核心競爭力分析
10.2.7　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.2.8　未來前景展望
10.3 廈門乾照光電股份有限公司
10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2　經(jīng)營效益分析
10.3.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.3.4　財務(wù)狀況分析
10.3.5　核心競爭力分析
10.3.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.3.7　未來前景展望
10.4 湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司
10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2　經(jīng)營效益分析
10.4.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.4.4　財務(wù)狀況分析
10.4.5　核心競爭力分析
10.4.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.4.7　未來前景展望
10.5 華燦光電股份有限公司
10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2　經(jīng)營效益分析
10.5.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.5.4　財務(wù)狀況分析
10.5.5　核心競爭力分析
10.5.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.5.7　未來前景展望
10.6 聞泰科技股份有限公司
10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2　經(jīng)營效益分析
10.6.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.6.4　財務(wù)狀況分析
10.6.5　核心競爭力分析
10.6.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.6.7　未來前景展望
10.7 株洲中車時代電氣股份有限公司
10.7.1　企業(yè)發(fā)展概況
10.7.2　經(jīng)營效益分析
10.7.3　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析
10.7.4　財務(wù)狀況分析
10.7.5　核心競爭力分析
10.7.6　公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.7.7　未來前景展望
第十一章　鴻晟信合對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資價值綜合評估
11.1 行業(yè)投資背景
11.1.1　行業(yè)投資規(guī)模
11.1.2　投資市場周期
11.1.3　行業(yè)投資前景
11.2 行業(yè)投融資情況
11.2.1　國際投資案例
11.2.2　國內(nèi)投資項目
11.2.3　國際企業(yè)并購
11.2.4　國內(nèi)企業(yè)并購
11.2.5　企業(yè)融資動態(tài)
11.3 行業(yè)投資壁壘
11.3.1　技術(shù)壁壘
11.3.2　資金壁壘
11.3.3　貿(mào)易壁壘
11.4 行業(yè)投資風(fēng)險
11.4.1　企業(yè)經(jīng)營風(fēng)險
11.4.2　技術(shù)迭代風(fēng)險
11.4.3　行業(yè)競爭風(fēng)險
11.4.4　產(chǎn)業(yè)政策變化風(fēng)險
11.5 行業(yè)投資建議
11.5.1　積極把握5G通訊市場機遇
11.5.2　收購企業(yè)實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破
11.5.3　關(guān)注新能源汽車催生需求
11.5.4　國內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉(zhuǎn)型
11.5.5　加強高校與科研院所合作
11.6 投資項目案例
11.6.1　項目基本概述
11.6.2　項目建設(shè)必要性
11.6.3　項目建設(shè)可行性
11.6.4　項目資金概算
11.6.5　項目經(jīng)濟效益
第十二章 2023-2027年鴻晟信合對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前景與趨勢預(yù)測
12.1 第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展趨勢
12.1.1　產(chǎn)業(yè)成本趨勢
12.1.2　未來發(fā)展趨勢
12.1.3　應(yīng)用領(lǐng)域趨勢
12.2 第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展前景
12.2.1　重要發(fā)展窗口期
12.2.2　產(chǎn)業(yè)應(yīng)用前景
12.2.3　產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇
12.2.4　產(chǎn)業(yè)市場機遇
12.2.5　產(chǎn)業(yè)發(fā)展展望
12.3 鴻晟信合對2023-2027年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)預(yù)測分析
12.3.1　2023-2027年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)影響因素分析
12.3.2　2023-2027年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電子電力和射頻電子總產(chǎn)值預(yù)測
附錄
附錄一：新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策
附錄二：關(guān)于促進中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體等前沿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施

圖表目錄

圖表1　第三代半導(dǎo)體特點
圖表2　第三代半導(dǎo)體主要材料
圖表3　不同半導(dǎo)體材料性能比較（一）
圖表4　不同半導(dǎo)體材料性能比較（二）
圖表5　碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢
圖表6　半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀
圖表7　半導(dǎo)體材料頻率和功率特性對比
圖表8　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)演進示意圖
圖表9　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表10　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表11　第三代半導(dǎo)體襯底制備流程
圖表12　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖譜
圖表13　第三代半導(dǎo)體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系
圖表14　國際電工委員會（IEC）第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)
圖表15　固態(tài)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會（JEDEC）第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)
圖表16　國際部分汽車電子標(biāo)準(zhǔn)
圖表17　2018-2020年RF GaN HEMT和Si LDMOS平均價格
圖表18　1990-2020年國外SiC技術(shù)進展
圖表19　國際上已經(jīng)商業(yè)化的SiC SBD的器件性能
圖表20　2020年國際企業(yè)新推出的SiC MOSFET產(chǎn)品
圖表21　國際已經(jīng)商業(yè)化的SiC晶體管器件性能
圖表22　2020年國際企業(yè)新推出的SiC功率模塊產(chǎn)品
圖表23　國際上已經(jīng)商業(yè)化的GaN電力電子器件性能
圖表24　國際上商業(yè)化的GaN射頻產(chǎn)品性能
圖表25　2020年國際企業(yè)推出的GaN射頻產(chǎn)品
圖表26　國際主要三代半上市企業(yè)業(yè)績
圖表27　2022年第三代半導(dǎo)體國際相關(guān)企業(yè)動向
圖表28　2022年國際部分企業(yè)第三代半導(dǎo)體相關(guān)擴產(chǎn)項目
圖表29　2020年主要第三代半導(dǎo)體企業(yè)合作動態(tài)
圖表30　美國下一代功率電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（一）
圖表31　美國下一代功率電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（二）
圖表32　2020年美國設(shè)立的部分第三代半導(dǎo)體相關(guān)研發(fā)項目
圖表33　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（一）
圖表34　日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（二）
圖表35　2020年歐盟和英國設(shè)立的部分第三代半導(dǎo)體相關(guān)研發(fā)項目
圖表36　歐洲LAST POWER產(chǎn)學(xué)研項目成員
圖表37　《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》中第三代半導(dǎo)體相關(guān)內(nèi)容
圖表38　2019-2021年國家層面第三代半導(dǎo)體支持政策匯總
圖表39　2022年第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策的分布情況
圖表40　2022年第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域地方政府部分政策法規(guī)列表
圖表41　中國第三代半導(dǎo)體現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
圖表42　CASA聯(lián)盟第三代半導(dǎo)體團體標(biāo)準(zhǔn)
圖表43　2017-2021年中國生產(chǎn)總值及其增長速度
圖表44　2017-2021年中國三次產(chǎn)業(yè)增加值占國內(nèi)生產(chǎn)總值比重
圖表45　2022年二季度和上半年GDP初步核算數(shù)據(jù)
圖表46　2017-2021年全部工業(yè)增加值及其增長速度
圖表47　2021年主要工業(yè)產(chǎn)品產(chǎn)量及其增長速度
圖表48　2021-2022年中國規(guī)模以上工業(yè)增加值同比增長速度
圖表49　2022年規(guī)模以上工業(yè)生產(chǎn)主要數(shù)據(jù)
圖表50　2017-2021年本?？?、中等職業(yè)教育及普通高中招生人數(shù)
圖表51　2016-2020年研究與試驗發(fā)展（R&D）經(jīng)費支出及其增長速度
圖表52　2020年專利申請、授權(quán)和有效專利情況
圖表53　2021年財政科學(xué)技術(shù)支出情況
圖表54　2021年分行業(yè)規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)研究與試驗發(fā)展（R&D）經(jīng)費情況
圖表55　國內(nèi)高校、研究所與企業(yè)的技術(shù)合作與轉(zhuǎn)化
圖表56　截至2021年底中國第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＠暾圱OP10
圖表57　2002-2021年中國第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域地區(qū)專利申請趨勢
圖表58　國家重點研發(fā)計劃2021年度第三代半導(dǎo)體項目申報情況（一）
圖表59　國家重點研發(fā)計劃2021年度第三代半導(dǎo)體項目申報情況（二）
圖表60　中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)起單位
圖表61　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
圖表62　全球推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和技術(shù)發(fā)展的國家計劃
圖表63　《中國制造2025》第三代半導(dǎo)體相關(guān)發(fā)展目標(biāo)
圖表64　2022年國內(nèi)Sic襯底外延新增產(chǎn)能
圖表65　2022年第三代半導(dǎo)體擴產(chǎn)項目地區(qū)分布
圖表66　2022年第三代半導(dǎo)體擴產(chǎn)項目地區(qū)分布
圖表67　2022年第三代半導(dǎo)體各環(huán)節(jié)投資金額占比
圖表68　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)列表
圖表69　2016-2021年中國SiC、GaN電子電力和GaN微波射頻總產(chǎn)值
圖表70　2016-2021年中國第三代半導(dǎo)體細分市場規(guī)模變動情況
圖表71　2020年SiC、GaN電力電子器件下游應(yīng)用分布
圖表72　2020年GaN射頻器件下游應(yīng)用分布情況
圖表73　中國主流企業(yè)第三代半導(dǎo)體布局情況
圖表74　2017-2022年中國金屬硅產(chǎn)量統(tǒng)計情況
圖表75　2021年中國金屬硅產(chǎn)量區(qū)域分布情況
圖表76　2008-2020年中國工業(yè)硅價格走勢
圖表77　2021-2022年工業(yè)硅與動力煤價格對比
圖表78　2021-2022年氧化鋅進口總量對比圖
圖表79　2022年氧化鋅主要進口國統(tǒng)計
圖表80　2021-2022年氧化鋅出口總量對比圖
圖表81　2022年氧化鋅主要出口國統(tǒng)計
圖表82 氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈主要的國際競爭廠商（一）
圖表83　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈主要的國際競爭廠商（二）
圖表84　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈主要的國際競爭廠商（三）
圖表85　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈國內(nèi)主要企業(yè)
圖表86　國內(nèi)碳化硅單晶企業(yè)
圖表87　氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈
圖表88　氮化鎵行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈全景圖
圖表89　GaN原子結(jié)構(gòu)
圖表90　典型GaN HEMT結(jié)構(gòu)
圖表91　GaN制備流程
圖表92　HVPE系統(tǒng)示意圖
圖表93　GaN外延生長常用方法示意圖
圖表94　2018-2022年氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠暾埩可暾?授權(quán)數(shù)量及占比情況
圖表95　截至2022年底氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠愋头植记闆r
圖表96　截至2022年中國氮化鎵技術(shù)的專利地域分布情況
圖表97　2019-2030年中國第三代半導(dǎo)體GaN材料關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展路線表
圖表98　截止2020年中國GaN晶圓制造產(chǎn)線匯總
圖表99　截至2020年底我國氮化鎵（GaN）產(chǎn)能統(tǒng)計
圖表100　2016-2020年中國SiC、GaN電子電力和GaN微波射頻產(chǎn)值
圖表101　2020年SiC、GaN電力電子器件下游應(yīng)用領(lǐng)域
圖表102　2020年中國GaN射頻器件下游應(yīng)用領(lǐng)域
圖表103　GaN功率器件應(yīng)用領(lǐng)域與市場份額
圖表104　氮化鎵行業(yè)代表性產(chǎn)能/產(chǎn)量情況
圖表105　氮化鎵行業(yè)代表性企業(yè)投資動向
圖表106　GaN半導(dǎo)體器件類別及應(yīng)用
圖表107　GaN器件主要產(chǎn)品
圖表108　Cascode GaN晶體管
圖表109　EPC的電氣參數(shù)
圖表110　LGA封裝示意圖
圖表111　境外GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈重點企業(yè)
圖表112　大陸GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈重點企業(yè)
圖表113　GaN電力電子器件應(yīng)用市場占示意圖
圖表114　Navitas GaN單管應(yīng)用舉例
圖表115　激光雷達脈沖寬度對距離測量分辨率的影響
圖表116　Si和GaN器件驅(qū)動的激光雷達成像分辨率對比圖
圖表117　恒定電壓供電方式的典型波形
圖表118　包絡(luò)線跟隨供電方式的典型波形
圖表119　ET技術(shù)的原理框圖
圖表120　DBC方式的硅基器件的熱阻發(fā)展趨勢
圖表121　2020年GaN器件產(chǎn)品電壓范圍占比預(yù)測
圖表122　SiC襯底制作工藝流程
圖表123　CVD法制備碳化硅外延工藝流程
圖表124　國內(nèi)SiC襯底技術(shù)指標(biāo)進展
圖表125　2020年國內(nèi)企業(yè)推出的SiC器件
圖表126　2018-2022年碳化硅單晶技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠暾?授權(quán)數(shù)量及占比情況
圖表127　截至2022年中國氮化硅單晶技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠愋头植?br /> 圖表128　截至2022年碳化硅單晶技術(shù)領(lǐng)域?qū)＠麉^(qū)域分布情況
圖表129　2019-2030年中國第三代半導(dǎo)體SiC材料關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展路線表
圖表130　SiC行業(yè)發(fā)展階段曲線
圖表131　SiC產(chǎn)業(yè)鏈重點企業(yè)
圖表132　2018-2021年天科合達、天岳先進碳化硅襯底銷售均價和同比
圖表133　2018-2020天岳導(dǎo)電型SiC襯底的銷售單價
圖表134　2018-2020年天岳半絕緣型SiC襯底的銷售單價
圖表135　2023-2027年全球SiC材料的市場空間預(yù)測
圖表136　8英寸SiC晶體和晶片照片
圖表137　8英寸SiC晶片的Raman散射圖譜
圖表138　8英寸4度偏角（4 off-axis）SiC晶片（0004）面的X射線搖擺曲線
圖表139　SiC器件市場規(guī)模及下游應(yīng)用展望
圖表140　SiC下游應(yīng)用的發(fā)展情況
圖表141　2021年全球SiC襯底整體市場份額
圖表142　2020年全球半絕緣型SiC襯底市場份額
圖表143　主要SiC襯底制造廠商的進展情況
圖表144　碳化硅電力電子器件分類
圖表145　功率模塊封裝中幾種上表面工藝的優(yōu)劣對比
圖表146　碳化硅在電動汽車中的應(yīng)用
圖表147　2020-2048年SiC器件在電網(wǎng)應(yīng)用的技術(shù)路線
圖表148　2020-2048年電力電子變壓器（PET）發(fā)展預(yù)測
圖表149　2020-2048年靈活交流輸電裝置（FACTS）發(fā)展預(yù)測
圖表150　2020-2048年光伏逆變器發(fā)展預(yù)測
圖表151　2020-2048年采用SiC器件的光伏逆變器市場占比預(yù)測
圖表152　2020-2048年固態(tài)開關(guān)發(fā)展預(yù)測
圖表153　2018-2050年各類別車輛規(guī)模的預(yù)測
圖表154　2018-2050年各類別應(yīng)用裝置規(guī)模的預(yù)測
圖表155　2018-2050年應(yīng)用裝置的功率密度預(yù)測
圖表156　2018-2050年應(yīng)用裝置的工作效率預(yù)測
圖表157　2018-2050年各種電力電子器件的預(yù)測
圖表158　2018-2048年車載OBC和非車載充電樁的效率提升預(yù)測
圖表159　三電平拓撲
圖表160　2018-2048年車載和非車載的換流器開關(guān)頻率提升預(yù)測
圖表161　Si IGBT和SiC MOSFET控制器效率對比
圖表162　對車載和非車載的器件要求
圖表163　2018-2025年SiC器件的封裝預(yù)測
圖表164　2020-2048年電動汽車電機驅(qū)動采用SiC器件發(fā)展預(yù)測
圖表165　2020-2048年電動汽車無線充電設(shè)施采用SiC器件發(fā)展預(yù)測
圖表166　家用消費類電子產(chǎn)品的分類
圖表167　適配器電源產(chǎn)品的能效等級要求
圖表168　歐美主要國家強制實施的能效等級要求
圖表169　不同家用電子產(chǎn)品耗電量分布圖
圖表170　空調(diào)電氣控制系統(tǒng)應(yīng)用框圖
圖表171　開通電壓/電流波形對比
圖表172　SiC混合功率模塊開關(guān)損耗對比
圖表173　2000-2030年功率模塊未來發(fā)展趨勢
圖表174　2020-2048年家用電器和消費類電子采用SiC功率模塊發(fā)展預(yù)測
圖表175　氮化鋁晶體結(jié)構(gòu)及晶須
圖表176　氮化鋁陶瓷基板的性能優(yōu)勢
圖表177　InGaZnO4晶體結(jié)構(gòu)
圖表178　β-Ga2O3功率器件與其他主要半導(dǎo)體功率器件的理論性能極限
圖表179　在電流和電壓需求方面Si，SiC，GaN和GaO功率電子器件的應(yīng)用
圖表180　金剛石結(jié)構(gòu)
圖表181　金剛石與其他半導(dǎo)體材料特性對比
圖表182　2025第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展目標(biāo)
圖表183　2018-2020年全球SiC、GaN在電力電子器件的應(yīng)用規(guī)模
圖表184　2017-2023年SiC vs GaN vs Si在電力電子領(lǐng)域滲透率情況
圖表185　2016-2020年中國SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模變化情況
圖表186　2020年中國SiC、GaN電力電子器件應(yīng)用市場結(jié)構(gòu)
圖表187　2019-2025年新能源汽車市場SiC、GaN功率市場規(guī)模
圖表188　2019-2025年P(guān)D快充GaN電力電子器件市場規(guī)模及預(yù)測
圖表189　應(yīng)用于新能源汽車的GaN芯片
圖表190　2017-2020年650V SiC SBD價格變化情況
圖表191　2017-2020年1200V SiC SBD價格變化情況
圖表192　2019-2020年SiC MOSFET平均價格
圖表193　2018-2020年650V SiC MOSFET和Si IGBT價格比較
圖表194　2017-2022年中國GaN微波射頻器應(yīng)用市場規(guī)模
圖表195　2020年中國GaN射頻器件各細分市場規(guī)模占比
圖表196　2011-2021年中國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)規(guī)模及增長率
圖表197　LED半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)
圖表198　2020年中國半導(dǎo)體照明應(yīng)用領(lǐng)域分布
圖表199　2021年國家科技部啟動的重點專項相關(guān)項目
圖表200　國內(nèi)主要半導(dǎo)體激光器企業(yè)情況
圖表201　全球半導(dǎo)體激光器應(yīng)用場景格局
圖表202　2019-2022年中國5G基站數(shù)量統(tǒng)計情況
圖表203　2020年中國GaN射頻器件應(yīng)用市場結(jié)構(gòu)
圖表204　我國5G宏基站4英寸GaN晶圓需求量
圖表205 5G主要技術(shù)對半導(dǎo)體材料的需求
圖表206　2021年中國新能源汽車生產(chǎn)情況
圖表207　2021年中國新能源汽車銷售情況
圖表208　2019-2021年中國新能源汽車月度銷量
圖表209　2022年新能源汽車產(chǎn)銷量數(shù)據(jù)統(tǒng)計
圖表210　SiC在電動汽車中的應(yīng)用
圖表211　搭載SiC功率模塊的全新豐田MIRAI與原MIRAI性能對比
圖表212　L1-L5各級別自動駕駛所需各類傳感器的數(shù)量
圖表213　L3不同級別自動駕駛汽車的半導(dǎo)體增量成本構(gòu)成
圖表214　2015-2040年中國智能駕駛汽車滲透率
圖表215　2021-2025年中國汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)測
圖表216　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)分布熱力地圖
圖表217　第三代半導(dǎo)體行業(yè)代表性企業(yè)區(qū)域分布圖
圖表218　國內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)回顧
圖表219　國內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)進展（二）
圖表220　國內(nèi)第三代半導(dǎo)體集聚區(qū)建設(shè)進展（三）
圖表221　重慶第三代半導(dǎo)體相關(guān)政策
圖表222　2019-2022年三安光電股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表223　2019-2022年三安光電股份有限公司營業(yè)收入及增速
圖表224　2019-2022年三安光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表225　2021年三安光電股份有限公司主營業(yè)務(wù)分行業(yè)、產(chǎn)品、地區(qū)、銷售模式
圖表226　2021-2022年三安光電股份有限公司營業(yè)收入情況
圖表227　2019-2022年三安光電股份有限公司營業(yè)利潤及營業(yè)利潤率
圖表228　2019-2022年三安光電股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表229　2019-2022年三安光電股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表230　2019-2022年三安光電股份有限公司資產(chǎn)負債率水平
圖表231　2019-2022年三安光電股份有限公司運營能力指標(biāo)
圖表232　北京賽微電子股份有限公司發(fā)展戰(zhàn)略
圖表233　2019-2022年北京賽微電子股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表234　2019-2022年北京賽微電子股份有限公司營業(yè)收入及增速
圖表235　2019-2022年北京賽微電子股份有限公司凈利潤及增速
圖表236　2020-2021年北京賽微電子股份有限公司營業(yè)收入分行業(yè)、產(chǎn)品、地區(qū)、銷售模式
圖表237　2022年北京賽微電子股份有限公司主營業(yè)務(wù)分產(chǎn)品或服務(wù)
圖表238　2019-2022年北京賽微電子股份有限公司營業(yè)利潤及營業(yè)利潤率
圖表239　2019-2022年北京賽微電子股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表240　2019-2022年北京賽微電子股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表241　2019-2022年北京賽微電子股份有限公司資產(chǎn)負債率水平
圖表242　2019-2022年北京賽微電子股份有限公司運營能力指標(biāo)
圖表243　2019-2022年廈門乾照光電股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表244　2019-2022年廈門乾照光電股份有限公司營業(yè)收入及增速
圖表245　2019-2022年廈門乾照光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表246　2020-2021年廈門乾照光電股份有限公司營業(yè)收入分行業(yè)、產(chǎn)品、地區(qū)、銷售模式
圖表247　2022年廈門乾照光電股份有限公司主營業(yè)務(wù)分產(chǎn)品或服務(wù)
圖表248　2019-2022年廈門乾照光電股份有限公司營業(yè)利潤及營業(yè)利潤率
圖表249　2019-2022年廈門乾照光電股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表250　2019-2022年廈門乾照光電股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表251　2019-2022年廈門乾照光電股份有限公司資產(chǎn)負債率水平
圖表252　2019-2022年廈門乾照光電股份有限公司運營能力指標(biāo)
圖表253　2019-2022年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表254　2019-2022年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司營業(yè)收入及增速
圖表255　2019-2022年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司凈利潤及增速
圖表256　2020-2021年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司營業(yè)收入分行業(yè)、產(chǎn)品、地區(qū)、銷售模式
圖表257　2022年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司主營業(yè)務(wù)分行業(yè)、產(chǎn)品、地區(qū)
圖表258　2019-2022年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司營業(yè)利潤及營業(yè)利潤率
圖表259　2019-2022年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表260　2019-2022年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表261　2019-2022年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司資產(chǎn)負債率水平
圖表262　2019-2022年湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司運營能力指標(biāo)
圖表263　2019-2022年華燦光電股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表264　2019-2022年華燦光電股份有限公司營業(yè)收入及增速
圖表265　2019-2022年華燦光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表266　2020-2021年華燦光電股份有限公司營業(yè)收入分行業(yè)、產(chǎn)品、地區(qū)、銷售模式
圖表267　2022年華燦光電股份有限公司主營業(yè)務(wù)分產(chǎn)品或服務(wù)
圖表268　2019-2022年華燦光電股份有限公司營業(yè)利潤及營業(yè)利潤率
圖表269　2019-2022年華燦光電股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表270　2019-2022年華燦光電股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表271　2019-2022年華燦光電股份有限公司資產(chǎn)負債率水平
圖表272　2019-2022年華燦光電股份有限公司運營能力指標(biāo)
圖表273　2019-2022年聞泰科技股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表274　2019-2022年聞泰科技股份有限公司營業(yè)收入及增速
圖表275　2019-2022年聞泰科技股份有限公司凈利潤及增速
圖表276　2021年聞泰科技股份有限公司主營業(yè)務(wù)分行業(yè)、產(chǎn)品、地區(qū)
圖表277　2021-2022年聞泰科技股份有限公司營業(yè)收入情況
圖表278　2019-2022年聞泰科技股份有限公司營業(yè)利潤及營業(yè)利潤率
圖表279　2019-2022年聞泰科技股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表280　2019-2022年聞泰科技股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表281　2019-2022年聞泰科技股份有限公司資產(chǎn)負債率水平
圖表282　2019-2022年聞泰科技股份有限公司運營能力指標(biāo)
圖表283　2019-2022年株洲中車時代電氣股份有限公司總資產(chǎn)及凈資產(chǎn)規(guī)模
圖表284　2019-2022年株洲中車時代電氣股份有限公司營業(yè)收入及增速
圖表285　2019-2022年株洲中車時代電氣股份有限公司凈利潤及增速
圖表286　2021年株洲中車時代電氣股份有限公司主營業(yè)務(wù)分行業(yè)、產(chǎn)品、地區(qū)
圖表287　2021-2022年株洲中車時代電氣股份有限公司營業(yè)收入情況
圖表288　2019-2022年株洲中車時代電氣股份有限公司營業(yè)利潤及營業(yè)利潤率
圖表289　2019-2022年株洲中車時代電氣股份有限公司凈資產(chǎn)收益率
圖表290　2019-2022年株洲中車時代電氣股份有限公司短期償債能力指標(biāo)
圖表291　2019-2022年株洲中車時代電氣股份有限公司資產(chǎn)負債率水平
圖表292　2019-2022年株洲中車時代電氣股份有限公司運營能力指標(biāo)
圖表293　2017-2020年第三代半導(dǎo)體投資擴產(chǎn)情況
圖表294　2020年國內(nèi)主要第三代半導(dǎo)體投資擴產(chǎn)情況
圖表295　2022年第三代半導(dǎo)體項目投融資統(tǒng)計
圖表296　2020年重點企業(yè)融資情況
圖表297　第三代半導(dǎo)體及IGBT技術(shù)研發(fā)項目總投資的概算表如下：
圖表298　2016-2030年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測
圖表299　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于窗口期
圖表300　國內(nèi)產(chǎn)業(yè)合作情況
圖表301　鴻晟信合對2023-2027年中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電子電力和射頻電子總產(chǎn)值預(yù)測