三星：明年推5/4nm EUV工藝，2020年上馬3nm GAA工藝

跟著Globalfoundries以及聯(lián)電退出先進半導體工藝研制、出資，全球有才能研制7nm及以下工藝的半導體公司就只剩余英特爾、臺積電及三星了，不過英特爾能夠掃除在代工廠之外，其他無晶圓公司可選的只要三星以及臺積電了，其間臺積電在7nm節(jié)點能夠說大獲全勝，流片的7nm芯片有50+多款。三星近年來也把代工事務(wù)當作要點，此前豪言要爭奪25%的代工商場，本年三星發(fā)布了未來的制程工藝路線圖，現(xiàn)在日本的技能論壇上三星再次改寫了半導體工藝路線圖，本年會推出7nm EUV工藝，下一年有5/4nm EUV工藝，2020年則會推出3nm EUV工藝，一起晶體管類型也會從FinFET轉(zhuǎn)向GAA結(jié)構(gòu)。

三星電子4日在日本舉辦“三星晶圓代工論壇2018日本會議”，簡稱SFF Japan 2018，這是三星第2次在日本舉辦代工會議，日本PCwatch網(wǎng)站介紹了三星這次會議的首要內(nèi)容，三星的標語是“最受信賴的代工廠”，并發(fā)布了三星在晶圓代工上的最新路線圖。

三星高管表明2018年晚些時候會推出7nm FinFET EUV工藝，而8nm LPU工藝也會開端危險試產(chǎn)，2019年則會推出5/4nm FinFET EUV工藝，一起開端18nm FD-SOI工藝的危險試產(chǎn)，后者首要面向RF射頻、eMRAM等芯片產(chǎn)品。

2020年三星則會推出3nm EUV工藝，一起晶體管結(jié)構(gòu)也會大改，從現(xiàn)在的FinFET變成GAA( Gate-All-Around)結(jié)構(gòu)，GAA公以為7nm節(jié)點之后替代FinFET晶體管的新一代技能候選。

三星在這次的論壇會議上表明他們是第一家大規(guī)模量產(chǎn)EUV工藝的，這點上卻是沒錯，臺積電要到第二代7nm工藝N7+上才會運用EUV工藝，可是三星比較急進，7nm節(jié)點上會直接上7nm工藝，未來的5/4/3nm節(jié)點也會全面運用EUV工藝。

依據(jù)三星的說法，他們在韓國華城的S3 Line出產(chǎn)線上布置了ASML的NXE3400 EUV光刻機，這條出產(chǎn)線原本是用于10nm工藝的，現(xiàn)在現(xiàn)已被改造，聽說現(xiàn)在的EUV產(chǎn)能現(xiàn)已達到了大規(guī)模出產(chǎn)的規(guī)范。

此外，三星還在S3出產(chǎn)線之外建造全新的出產(chǎn)線，這是EUV工藝專用的，計劃在2019年末全面完結(jié)，EUV的全面量產(chǎn)計劃在2020年完結(jié)。

對三星來說，他們的7nm客戶都有誰至關(guān)重要，特別是在臺積電搶下絕大多數(shù)7nm訂單的情況下，原文作者以為臺積電的7nm產(chǎn)能不或許包辦一切7nm訂單，三星仍然有時機搶得客戶，因而他猜想某公司下一代的GPU有或許交由三星代工——不過他著重這是自己的估測。

在GPU代工上，三星運用14nm工藝給NVIDA的GTX 1050 Ti/1050顯卡的GP107中心代工過。

下面是三星在封裝測驗方面的路線圖了，現(xiàn)在三星現(xiàn)已能夠供給FOPLP-PoP、I-Cube 2.5D封裝，下一年則會推出3D SiP體系級封裝，其間I-Cube封裝現(xiàn)已能夠完成4路HBM 2顯存?zhèn)}庫了。